Institut des
NanoSciences de Paris
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Zone Dépôt

© INSP - L. Becerra {JPEG}
  • Four de recuit hautes températures (Carbolite BGHA12/300A)
    Cet outil permet de chauffer des échantillons jusqu’à une température maximale de 1200°C et cela pendant plusieurs heures si nécessaire. Ce four peut fonctionner sous air ou sous ambiance d’oxygène. Il est notamment utilisé pour oxyder des wafers de silicium.
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  • 2 bâtis d’évaporation par effet Joule (Edwards Auto 306 et Leybold Univex 300)
    Ces deux évaporateurs thermiques permettent de déposer des couches minces métalliques (Au, Al, Cr, Ti, Ag, …) à la surface d’échantillons. Une balance à quartz permet de calibrer avec précision l’épaisseur des dépôts. Cette dernière varie de quelques nanomètres à quelques centaines de nanomètres.
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  • 2 pulvérisateurs multi-cibles cathodiques magnétron (Alcatel)
    L’un de ces appareils peut contenir jusqu’à 4 cibles tandis que le second en contient 3. Possibilité de chauffer le substrat et de le nettoyer à l’aide d’un plasma. Dépôts réalisés avec des plasmas d’Argon et d’Oxygène. Grandes variétés de matériaux disponibles (Zn, Ti, W, Fe, Cu, Permalloy, SiO2, Mo, …). Des (multi-) couches de plusieurs microns d’épaisseur peuvent y être déposées.
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  • Sputtering (Biorad SC500)
    Petit pulvérisateur fonctionnant avec un plasma Argon et permettant une métallisation (Au) rapide des échantillons (utile par exemple pour observer au MEB un échantillon isolant).
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  • Plasma cleaner (Harrick Plasma PDC-002)
    Machine fonctionnant sous oxygène ou sous azote, permettant de nettoyer via un plasma faiblement énergétique la surface des échantillons.